A thin film deposition method comprises the steps of preparing a magnetron sputtering system having a magnetic field generation unit for changing a magnetic field, mounting, as a target, a composite material on a cathode of the magnetron sputtering system, providing a to-be-processed substrate on an anode of the magnetron sputtering system, evacuating a chamber of the magnetron sputtering system and thereafter filling the chamber with inert gas, and applying, onto the cathode, one of DC power and RF power and, at the same time, an alternating magnetic field from a lower portion of the target, thereby controlling a cycle and intensity of the alternating magnetic field to change a ratio of the not less than two components of the thin film in a film thickness direction of the thin film.

Un método de la deposición de la película fina abarca los pasos de preparar un sistema de la farfulla del magnetrón que tiene una unidad de la generación del campo magnético para cambiar un campo magnético, montaje, como blanco, un material compuesto en un cátodo del sistema de la farfulla del magnetrón, proporcionando un substrato a-ser-procesado en un ánodo del sistema de la farfulla del magnetrón, evacuando un compartimiento del sistema de la farfulla del magnetrón y después de eso llenar el compartimiento del gas inerte, y aplicación, sobre el cátodo, de uno de potencia cc Y energía del RF y, en el mismo tiempo, un campo magnético que se alterna de una porción más baja de la blanco, de tal modo controlando un ciclo y una intensidad del campo magnético que se alterna para cambiar un cociente de los no no menos que dos componentes de la película fina en una dirección del espesor del film de la película fina.