A quality-assurance method is described that is useful in the fabrication of piezoelectric films of electronic devices, particularly resonators for use in RF filters. For example, the method comprises determining the surface roughness of an insulating layer on which the piezoelectric film is to be deposited and achieving a surface roughness for the insulating layer that is sufficiently low to achieve the high-quality piezoelectric film. According to one aspect of the invention, the low surface roughness for the insulating layer is achieved with use of a rotating magnet magnetron system for improving the uniformity of the deposited layer. According to other aspects of the invention, the high-quality piezoelectric film is assured by optimizing deposition parameters including determination of a "cross-over point" for reactive gas flow and/or monitoring and correcting for the surface roughness of the insulating layer pre-fabrication of the piezoelectric film.

Um método da qualidade-garantia é descrito que seja útil na fabricação de películas piezoelectric de dispositivos eletrônicos, particularmente ressonadores para o uso em filtros do RF. Para o exemplo, o método compreende determinar a aspereza de superfície de uma camada isolando em que a película piezoelectric deve ser depositada e a realização de uma aspereza de superfície para a camada isolando que é suficientemente baixa conseguir a película piezoelectric de alta qualidade. De acordo com um aspecto da invenção, a aspereza de superfície baixa para a camada isolando é conseguida com uso de um sistema girando do magnétron do ímã para melhorar a uniformidade da camada depositada. De acordo com outros aspectos da invenção, a película piezoelectric de alta qualidade é assegurada optimizing parâmetros do deposition including a determinação do "de um ponto cross-over" para o fluxo reactive do gás e/ou monitorando e corrigindo para a aspereza de superfície da pre-fabricação da camada isolando da película piezoelectric.