A method for fabricating MEMS wherein a structural member is released without using a sacrificial layer. In one embodiment, the method comprises forming a buried hydrogen-rich layer in a semiconductor substrate, defining a release structure in the semiconductor substrate above the buried hydrogen-rich layer, and separating at least a portion of the release structure from the semiconductor substrate by cleaving the semiconductor substrate at the buried hydrogen-rich layer. The method can be used to fabricate hybrid devices wherein a MEMS device and a semiconductor device are formed on the same chip.

Eine Methode für das Fabrizieren von von MEMS, worin ein strukturelles Mitglied befreit wird, ohne eine Opferschicht zu verwenden. In einer Verkörperung enthält definiert die Methode die Formung einer begrabenen Wasserstoff-reichen Schicht in einem Halbleitersubstrat, eine Freigabestruktur im Halbleitersubstrat über der begrabenen Wasserstoff-reichen Schicht, und trennt mindestens einen Teil der Freigabestruktur vom Halbleitersubstrat, indem sie das Halbleitersubstrat an der begrabenen Wasserstoff-reichen Schicht zerspaltet. Die Methode kann verwendet werden, um hybride Vorrichtungen zu fabrizieren, worin eine MEMS Vorrichtung und ein Halbleiterelement auf dem gleichen Span gebildet werden.