The inventive nonvolatile semiconductor memory device, rewriting stored information with the quantity of charges of a dielectric material, comprises a ferroelectric film having a hysteresis characteristic in a dependency of an electric field density and an-electric field and a nonlinear element electrically connected with the ferroelectric film. In this nonlinear element, the quantity of increase of a positive electric flux density with respect to an electric field is small in a low field region and large in a high field region in a dependency of the electric flux density and the electric field. Thus, it is possible to obtain a nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing dispersion in coercive filed and preventing reduction of voltage resistance without increasing the chip area.

O dispositivo de memória permanente inventive do semicondutor, reescrevendo a informação armazenada com a quantidade das cargas de um material dieléctrico, compreende uma película ferroelectric que tem uma histerese característica em uma dependência de uma densidade do campo elétrico e um campo um-elétrico e um elemento não-linear conectado eletricamente com a película ferroelectric. Neste elemento não-linear, a quantidade do aumento de uma densidade elétrica positiva do fluxo com respeito a um campo elétrico é pequena em uma região baixa do campo e grande em uma região elevada do campo em uma dependência da densidade elétrica do fluxo e do campo elétrico. Assim, é possível obter um dispositivo de memória permanente do semicondutor capaz de suprimir a dispersão na redução arquivada e impedindo coercive da resistência da tensão sem aumentar a área da microplaqueta.