A thin film transistor (TFT) device structure based on an organic-inorganic hybrid semiconductor material, that exhibits a high field effect mobility, high current modulation at lower operating voltages than the current state of the art organic-inorganic hybrid TFT devices. The structure comprises a suitable substrate disposed with the following sequence of features: a set of conducting gate electrodes covered with a high dielectric constant insulator, a layer of the organic-inorganic hybrid semiconductor, sets of electrically conducting source and drain electrodes corresponding to each of the gate lines, and an optional passivation layer that can overcoat and protect the device structure. Use of high dielectric constant gate insulators exploits the gate voltage dependence of the organic-inorganic hybrid semiconductor to achieve high field effect mobility levels at very low operating voltages. Judicious combinations of the choice of this high dielectric constant gate insulator material and the means to integrate it into the organic-inorganic hybrid based TFT structure are taught that would enable easy fabrication on glass or plastic substrates and the use of such devices in flat panel display applications.

Μια δομή συσκευών κρυσταλλολυχνιών λεπτών ταινιών (TFT) βασισμένη σε ένα οργανικός-ανόργανο υβριδικό υλικό ημιαγωγών, το οποίο εκθέτει μια υψηλή κινητικότητα επίδρασης τομέων, υψηλή τρέχουσα διαμόρφωση στις χαμηλότερες λειτουργούσες τάσεις από τις τρέχουσες οργανικός-ανόργανες υβριδικές συσκευές TFT κατάστασης προόδου. Η δομή περιλαμβάνει ένα κατάλληλο υπόστρωμα που διατίθεται με την ακόλουθη ακολουθία χαρακτηριστικών γνωρισμάτων: ένα σύνολο διεύθυνσης των ηλεκτροδίων πυλών που καλύπτονται με έναν υψηλό μονωτή διηλεκτρικής σταθεράς, ένα στρώμα του οργανικός-ανόργανου υβριδικού ημιαγωγού, τα σύνολα ηλεκτρικά να διευθύνει τα ηλεκτρόδια πηγής και αγωγών που αντιστοιχούν σε κάθε μια από τις γραμμές πυλών, και ένα προαιρετικό στρώμα παθητικότητας που μπορούν παλτό και να προστατεύσουν τη δομή συσκευών. Η χρήση των υψηλών μονωτών πυλών διηλεκτρικής σταθεράς εκμεταλλεύεται την εξάρτηση τάσης πυλών του οργανικός-ανόργανου υβριδικού ημιαγωγού για να επιτύχει τα υψηλά επίπεδα κινητικότητας επίδρασης τομέων στις πολύ χαμηλές λειτουργούσες τάσεις. Οι συνετοί συνδυασμοί της επιλογής αυτής της υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς το υλικό μονωτών πυλών και τα μέσα να ενσωματωθεί στην οργανικός-ανόργανη υβριδική βασισμένη δομή TFT διδάσκονται ότι θα επέτρεπαν την εύκολη επεξεργασία στο γυαλί ή τα πλαστικά υποστρώματα και τη χρήση τέτοιων συσκευών στις εφαρμογές επίδειξης επίπεδης επιτροπής.