In a method for manufacturing a semiconductor device having a first insulation film, a second insulation film formed over the first insulation film, an inlayed interconnection layer formed in the second insulation film, and an organic film provided on the inlayed interconnection layer and the second insulation film, the organic film having a dielectric constant lower than the second insulation film, the organic film is grown inside a vacuum chamber.

В методе для изготовлять прибора на полупроводниках имея первую пленку изоляции, вторая пленка изоляции сформированная над первой пленкой изоляции, inlayed слой соединения сформированный в второй пленке изоляции, и органическая пленка обеспеченная на inlayed слой соединения и вторая пленка изоляции, органическая пленка имея диэлектрическую константу более низко чем вторая пленка изоляции, органическая пленка растется внутри камеры вакуума.