The present invention prevents a damage concentration caused by a data erase/write-in to a particular cell, so as to increase a service life of a flash memory. A CPU 17 determines whether a data which has been read out is a new one or a data having a reverse flag set (steps S1 and S2. If the reverse flag is not set, a reverse flag is set (step S3), so as to reverse the bit of the data when writing the data into a flash memory (steps S4 and S6). If a reverse flag is set, the reverse flag is reset (step S5) and the data is written into the flash memory (step S6).

A invenção atual impede uma concentração dos danos causada por uns dados erase/write-in a uma pilha particular, para aumentar uma vida de serviço de uma memória flash. Um processador central 17 determina se uns dados que sejam lidos para fora são um novo ou uns dados que têm uma bandeira reversa ajustada (etapas S1 e S2. Se a bandeira reversa não for ajustada, uma bandeira reversa está ajustada (etapa S3), para inverter o bocado dos dados ao escrever os dados em uma memória flash (etapas S4 e S6). Se uma bandeira reversa for ajustada, a bandeira reversa está restaurada (a etapa S5) e os dados são escritos na memória flash (etapa S6).