An integrated circuit structures formed by chemical mechanical polishing
(CMP) process, which comprises a conductive pathway recessed in a
dielectric substrate, wherein the conductive pathway comprises conductive
transmission lines encapsulated in a transmission-enhancement material,
and wherein the conductive pathway is filled sequentially by a first layer
of the transmission-enhancement material followed by the conductive
transmission line; a second layer of transmission-enhancement material
encapsulating the conductive transmission line and contacting the first
layer of the transmission-enhancement material, wherein the
transmission-enhancement material is selected from the group consisting of
high magnetic permeability material and high permittivity material. Such
integrated circuit structure may comprise a device structure selected from
the group consisting of capacitors, inductors, and resistors. Preferably,
the transmission-enhancement material comprises MgMn ferrites, MgMnAl
ferrites, barium strontium titanate, lead zirconium titanate, titanium
oxide, tantalum oxide, etc.
Eine integrierte Schaltung strukturiert gebildet durch chemischen mechanischen Polier Prozeß (CMP), der eine leitende Bahn enthält, die in einem dielektrischen Substrat vertieft wird, worin die leitende Bahn die leitenden Getriebelinien enthält, die in einem Getriebe-Verbesserung Material eingekapselt werden und worin die leitende Bahn der Reihe nach durch eine erste Schicht des Getriebe-Verbesserung Materials gefüllt wird, das von der leitenden Getriebelinie gefolgt wird; eine zweite Schicht Getriebe-Verbesserung Material die leitende Getriebelinie einkapselnd und der ersten Schicht mit des Getriebe-Verbesserung Materials in Verbindung tretend, worin das Getriebe-Verbesserung Material von der Gruppe vorgewählt wird, die aus hohem magnetischem Permeabilität Material und hohem Genehmigungmaterial besteht. Solche Schaltungstruktur kann eine Vorrichtung Struktur enthalten, die von der Gruppe vorgewählt wird, die aus Kondensatoren, Drosselspulen und Widerständen besteht. Vorzugsweise enthält das Getriebe-Verbesserung Material MgMn Ferrit, MgMnAl Ferrit, Bariumstrontiumtitanat, Leitung Zirkoniumtitanat-, Titanoxyd, Tantaloxid, usw..
