A low resistance magnetic tunnel junction (MTJ) device has a bilayer or
multilayer as the insulating tunnel barrier. In one embodiment the tunnel
barrier is a bilayer of a first layer of magnesium oxide on the bottom
magnetic electrode and an aluminum oxide layer on the magnesium oxide
layer. This bilayer is formed by oxidizing a bilayer of Mg/Al. In a second
embodiment the tunnel barrier is a bilayer of first layer of aluminum
nitride and a second layer of aluminum oxide on top of the aluminum
nitride first layer, with this bilayer formed by oxidizing a bilayer of
AlN/Al. MTJ devices with trilayer barriers, such as AlN/Al.sub.2 O.sub.3
/AlN, MgO/Al.sub.2 O.sub.3 /MgO and Al.sub.2 O.sub.3 /MgO/Al.sub.2 O.sub.3
are also possible. The resulting magnetic tunnel junction devices have
resistance-area values less than 1000 .OMEGA.(.mu.m).sup.2 and preferably
in the range of 0.1 to 100 .OMEGA.(.mu.m).sup.2, making the devices
suitable for magnetic read sensors.
Eine niedriger Widerstand magnetische Tunnel-Verzweigung (MTJ) Vorrichtung hat ein bilayer oder ein mehrschichtiges als die isolierende Tunnelsperre. In einer Verkörperung ist die Tunnelsperre ein bilayer einer ersten Schicht des Magnesiumoxids auf der unteren magnetischen Elektrode und der Aluminiumoxydschicht auf der Magnesiumoxidschicht. Dieses bilayer wird gebildet, indem man ein bilayer von Mg/Al oxidiert. In einer zweiten Verkörperung ist die Tunnelsperre ein bilayer der ersten Schicht des Aluminiumnitrids und der zweiten Schicht des Aluminiumoxyds auf die erste Schicht des Aluminiumnitrids, wenn dieses bilayer gebildet ist, indem man oxidiert, ein bilayer von AlN/Al. MTJ Vorrichtungen mit trilayer Sperren, wie AlN/Al.sub.2 O.sub.3 /AlN, MgO/Al.sub.2 O.sub.3 /MgO und Al.sub.2 O.sub.3 /MgO/Al.sub.2 O.sub.3 sind auch möglich. Die resultierenden magnetischen Tunnelverzweigung Vorrichtungen haben Widerstand-Bereich Werte weniger OMEGA.(.mu.m).sup.2 Als 1000 und vorzugsweise in der Strecke OMEGA.(.mu.m).sup.2 0.1 bis 100 und bilden die Vorrichtungen verwendbar für magnetische gelesene Sensoren.
