The method of the invention causes fracture of a semiconductor layer containing semiconductor devices from a support layer and requires no masking of the semiconductor device features during an implantation action. The method initially implants protons throughout an entirety of the semiconductor layer at an energy level that enables the protons to reach a depth that defines a delamination region. The implanting creating defects in the semiconductor devices and charge accumulation in dielectric portions (if any). Next a heat treating step causes a delamination of the semiconductor layer from the support layer that lies beneath the delamination region. Then the semiconductor layer is annealed at a temperature that exceeds a thermal stability temperature of the defects to cause a healing thereof.

Метод вымысла причиняет трещиноватость слоя полупроводника содержа прибора на полупроводниках от слоя поддержки и не требует никакой маскировать характеристик прибора на полупроводниках во время действия вживления. Метод первоначально имплантирует протоны в течении полноты слоя полупроводника на уровне энергии позволяет протоны достигнуть глубину определяет зону деламинации. Имплантируя создаваться изменяет в прибора на полупроводниках и накоплении обязанности в диэлектрических частях (если любой). Затем шаг жары обрабатывая причинит деламинацию слоя полупроводника от слоя поддержки лежит под зоной деламинации. После этого слой полупроводника обжжен на температуре превышает температуру термально стабилности дефектов для того чтобы причинить healing thereof.