A hafnium-based dielectric layer, such as hafnium oxide (HfO.sub.2), is formed over a semiconductor substrate by flowing a hafnium-containing precursor of hafnium (Hf) and iodine (I) and an oxygen-containing precursor resulting in a high quality dielectric layer over the substrate. In one embodiment, the hafnium-containing precursor is Hafnium tetraiodide (HfI.sub.4). The two precursors may be applied simultaneously or alternately. The hafnium tetraiodide may be provided into a reaction chamber via sublimation or direct liquid injection.

Гафни-osnovanny1 диэлектрический слой, such as окись гафния (HfO.sub.2), сформирован над субстратом полупроводника путем пропускать гафни-soderja прекурсор гафния (hf) и иода (I) и кислород-soderja прекурсора resulting in слой высокого качества диэлектрический над субстратом. В одном воплощении, гафни-soderja прекурсор будет tetraiodide гафния (HfI.sub.4). 2 прекурсора могут быть приложены одновременно или друг. Tetraiodide гафния может быть обеспечено в камеру реакции через сублимацию или сразу жидкостная впрыска.