A cleaning method capable of processing at room temperatures without conducting heating, uses little chemicals and water, and does not require special devices or materials. The chemical cleaning processes and rinse processes employ pure water or ultrapure water in a semiconductor wet cleaning process, rinse water or chemicals which suppresses formation of surface oxide films, removes particles and prevent their redeposition, and aids in the hydrogen termination of the silicon atoms. The cleaning method of the resent invention includes cleaning which is conducted using pure water containing ozone, cleaning conducted using a cleaning liquid containing HF, H.sub.2 O, and surfactant, while applying vibration having a frequency of 500 kHz or more, cleaning conducted using pure water containing ozone, cleaning conducted using a cleaning liquid containing HF and H.sub.2 O in order to remove oxide films, and cleaning which is conducted using pure water. After cleaning a material to be cleaned using chemicals, rinsing is conducted using pure water or ultrapure water containing hydrogen gas in an amount of 0.5 ppm or more and containing oxygen gas in an amount of 100 ppb or less.

Une méthode de de nettoyage capable du traitement aux températures ambiantes sans chauffage de conduite, produits chimiques d'utilisations petits et eau, et n'exige pas les dispositifs ou les matériaux spéciaux. Les processus de nettoyage de produit chimique et les processus de rinçage utilisent l'eau pure ou l'eau d'ultrapure dans un processus de nettoyage de semi-conducteur, une eau ou des produits chimiques de rinçage qui supprime la formation des films extérieurs d'oxyde, enlève des particules et empêche leur redeposition, et des aides humides dans l'arrêt d'hydrogène des atomes de silicium. La méthode de de nettoyage de l'invention renvoyée inclut le nettoyage qui est conduit en utilisant l'eau pure contenant l'ozone, le nettoyage conduit en utilisant un à haute fréquence contenant liquide de nettoyage, le H.sub.2 O, et l'agent tensio-actif, tout en appliquant la vibration faisant conduire une fréquence de 500 kilohertz ou de plus, le nettoyage en utilisant l'eau pure contenant l'ozone, le nettoyage être conduit en utilisant un à haute fréquence et un H.sub.2 contenants liquides O de nettoyage afin d'enlever des films d'oxyde, et nettoyant qui est conduit en utilisant l'eau pure. Après le nettoyage d'un matériel à nettoyer en utilisant des produits chimiques, rinçant est conduit en utilisant l'eau pure ou l'eau d'ultrapure contenant le gaz d'hydrogène dans une quantité de 0.5 page par minute ou de plus et contenant le gaz de l'oxygène dans une quantité de ppb 100 ou de moins.