A method and apparatus for depositing a low dielectric constant film by reaction of an organosilicon compound and an oxidizing gas at a constant RF power level from about 10 W to about 200 W or a pulsed RF power level from about 20 W to about 500 W. Dissociation of the oxidizing gas can be increased prior to mixing with the organosilicon compound, preferably within a separate microwave chamber, to assist in controlling the carbon content of the deposited film. The oxidized organosilane or organosiloxane film has good barrier properties for use as a liner or cap layer adjacent other dielectric layers. The oxidized organosilane or organosiloxane film may also be used as an etch stop and an intermetal dielectric layer for fabricating dual damascene structures. The oxidized organosilane or organosiloxane films also provide excellent adhesion between different dielectric layers. A preferred oxidized organosilane film is produced by reaction of methylsilane, CH.sub.3 SiH.sub.3, dimethylsilane, (CH.sub.3).sub.2 SiH.sub.2, or 1,1,3,3-tetramethyl-disiloxane, (CH.sub.3).sub.2 --SiH--O--SiH--(CH.sub.3).sub.2, and nitrous oxide, N.sub.2 O, at a constant RF power level from about 10 W to about 150 W, or a pulsed RF power level from about 20 W to about 250 W during 10% to 30% of the duty cycle.

Метод и прибор для депозировать низкую пленку диэлектрической константы реакцией смеси organosilicon и окисляя газ на постоянн rf приводят в действие вровень от около 10 ш до около 200 ш или пульсированный уровень силы rf от около 20 ш до около 500 W Разобщенность из окисляя газа можно увеличить перед смешивать с смесью organosilicon, предпочтительн внутри отдельно камера микроволны, котор нужно помочь в контролировать содержание углерода депозированной пленки. Окисленная пленка organosilane или organosiloxane имеет хорошие свойства барьера для пользы как слой вкладыша или крышки смежный другие слои диэлектрика. Окисленная пленка organosilane или organosiloxane может также быть использована по мере того как стоп etch и intermetal диэлектрический слой для изготовлять двойные damascene структуры. Окисленные пленки organosilane или organosiloxane также предусматривают превосходное прилипание между по-разному диэлектрическими слоями. Предпочитаемая окисленная пленка organosilane произведена реакцией methylsilane, CH.sub.3 SiH.sub.3, dimethylsilane, (CH.sub.3).sub.2 SiH.sub.2, или 1,1,3,3-tetramethyl-disiloxane, (CH.sub.3).sub.2 -- SiH -- о -- SiH -- (CH.sub.3).sub.2, и нитрозная окись, N.sub.2 о, на постоянн уровне силы rf от около 10 ш до около 150 ш, или пульсированном уровне силы rf от около 20 ш до около 250 ш во время 10% к 30% круга обязаностей.