The invention is directed to a photoresist-free method for depositing films
composed of metals, such as copper, or its oxides from metal complexes.
More specifically, the method involves applying an amorphous film of a
metal complex to a substrate. The metal complexes have the formula M.sub.f
L.sub.g X.sub.h, wherein M is selected from the group consisting of Ti, V,
Cr, Au, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Si, Sn, Li, Na, K, Ba, Sr, Mo, Ru, Pd, Pt,
Re, Ir, and Os, L is a ligand of the formula (R.sub.2 NCR.sub.2 'CO)
wherein R and R' are independently selected from H, C.sub.n H.sub.m and
C.sub.n H.sub.m A.sub.x B.sub.y wherein A and B are independently selected
from main group elements and f, g, h, n, m, x and y represent integers and
wherein X is an anion independently selected from N.sub.3, NCO, NO.sub.3,
NO.sub.2, Cl, Br, I, CN, OH, H and CH.sub.3. These films, upon, for
example, thermal, photochemical or electron beam irradiation may be
converted to the metal or its oxides. By using either directed light or
electron beams, this may lead to a patterned metal or metal oxide film in
a single step.
Die Erfindung wird auf eine photoresist-freie Methode für das Niederlegen der Filme verwiesen, die aus Metallen, wie Kupfer bestehen, oder seine Oxide von den Metallkomplexen. Spezifischer, bezieht die Methode mit ein, einen formlosen Film eines Metallkomplexes an einem Substrat aufzutragen. Die Metallkomplexe haben die Formel M.sub.f L.sub.g X.sub.h, worin M von der Gruppe vorgewählt wird, die aus Ti, V, Cr, Au, Mangan, F.E., Co, Ni, Cu, Zn, Silikon, Sn, Li, Na, K, Ba, Sr, MO, Ru, Palladium, Pint, das Re besteht, Ir, und OS, ist L ein ligand der Formel (R.sub.2 NCR.sub.2 ' Co) worin R und R ' unabhängig von H, von C.sub.n H.sub.m und von C.sub.n H.sub.m A.sub.x B.sub.y vorgewählt werden, worin A und B unabhängig von Hauptgruppe Elementen und von f, g, h, n, m vorgewählt werden, x und y stellen Ganzzahlen dar und worin X ein Anion ist, das unabhängig von N.sub.3, von NCO, von NO.sub.3, von NO.sub.2, vom Cl, vom Br, von I, von CN, von OH-, von H und von CH.sub.3 vorgewählt wird. _ dies Film, auf, z.B., Thermal-, photochemisch oder electron Elektronenstrahl Bestrahlung können sein umwandeln zu d Metall oder sein Oxid. Indem es entweder verwiesenes Licht oder Elektronenstrahlen verwendet, kann dieses zu einen patterned Metall- oder Metalloxidfilm in einem Einzelschritt führen.
