In a method of manufacturing a semiconductor device, after a lateral growth region 107 is formed by using a catalytic element 105 for facilitating crystallization of silicon, the catalytic element is gettered into a phosphorus added region 108 by a heat treatment. Thereafter, a gate insulating film 113 is formed to cover active layers 110 to 112 formed, and in this state, a thermal oxidation step is carried out. By this, the characteristics of an interface between the active layers and the gate insulating film can be improved while abnormal growth of a metal oxide is prevented.

Em um método de manufaturar um dispositivo de semicondutor, depois que uma região lateral 107 do crescimento é dada forma usando um elemento catalytic 105 para facilitar a cristalização do silicone, o elemento catalytic está gettered em uma região adicionada phosphorus 108 por um tratamento de calor. Depois disso, uma película isolando 113 da porta é dada forma para cobrir as camadas ativas 110 a 112 dados forma, e neste estado, uma etapa térmica da oxidação é realizada. Por esta, as características de uma relação entre as camadas ativas e a película isolando da porta podem ser melhoradas quando o crescimento anormal de um óxido de metal for impedido.