A method for producing a silicon single crystal in accordance with the Czochralski method. The single crystal is grown in an N.sub.2 (V) region where a large amount of precipitated oxygen and which is located within an N region located outside an OSF ring region, or is grown in a region including the OSF ring region, N.sub.1 (V) and N.sub.2 (V) regions located inside and outside the OSF ring region, in a defect distribution chart which shows a defect distribution in which the horizontal axis represents a radial distance D (mm) from the center of the crystal and the vertical axis represents a value of F/G (mm.sup.2 /.degree. C..multidot.min), where F is a pulling rate (mm/min) of the single crystal, and G is an average intra-crystal temperature gradient (.degree. C./mm) along the pulling direction within a temperature range of the melting point of silicon to 1400.degree. C. The method allows production of silicon single crystal wafers in which neither FPDs nor L/D defects exist on the wafer surface, and gettering capability stemming from oxygen precipitation is provided over the entire wafer surface, and silicon single crystal wafers wherein OSF nuclei exit but no OSF ring appears when the wafer is subjected to thermal oxidation treatment, neither FPDs nor L/D defects exist on the wafer surface, and gettering capability is provided over the entire wafer surface.

Un método para producir un solo cristal del silicio de acuerdo con el método de Czochralski. El solo cristal se crece en una región de N.sub.2 (v) donde una cantidad grande de oxígeno precipitado y que está situada dentro de una región de N situada fuera de una región del anillo de OSF, o se crece en una región incluyendo la región del anillo de OSF, N.sub.1 (v) y las regiones de N.sub.2 (v) situadas dentro y fuera del OSF suenan la región, en una carta de la distribución del defecto que demuestre que una distribución del defecto en la cual el eje horizontal representa una distancia radial D (milímetro) del centro del cristal y del eje vertical representa un valor de F/G (mm.sup.2 /.degree. C..multidot.min), donde está un índice F que tira (mm/min) del solo cristal, y G es un gradiente medio de la temperatura del intra-cristal (degree. C./mm) a lo largo de la dirección que tira dentro de una gama de temperaturas del punto de fusión del silicio a 1400.degree. C. El método permite la producción de las solas obleas cristalinas del silicio en las cuales ni los defectos de FPDs ni de L/D existen en la superficie de la oblea, y la precipitación gettering del oxígeno de la capacidad que proviene se proporciona sobre la superficie entera de la oblea, y obleas cristalinas del silicio las solas en donde los núcleos de OSF salen pero ningún anillo de OSF aparece cuando la oblea se sujeta al tratamiento termal de la oxidación, ni los defectos de FPDs ni de L/D existen en la superficie de la oblea, y la capacidad gettering se proporciona sobre la superficie entera de la oblea.