A semiconductor device is provided with at least two photodetectors and an interposed etalon. Signals from the photodetectors may be compared to generate a control signal. The control signal may be used for wavelength control and/or stabilization and for other purposes. According to a preferred embodiment, the etalon is formed of at least two distributed Bragg reflectors. The etalon provides high discrimination power. In addition, the etalon has a periodic discrimination function that may be matched to the periodic channels of a dense wavelength division multiplexing system. According to one aspect of the invention, electrical current may be applied to selected layers of the device to tune and/or shift the response of the device. If desired, the invention may be incorporated into a waveguide structure, such as an optical fiber. The present invention also relates to a wafer fusion technique for making integrated devices.

Un dispositivo a semiconduttore è fornito almeno di due rivelatori fotoelettrici e di un etalon interposto. I segnali dai rivelatori fotoelettrici possono essere confrontati per generare un segnale di controllo. Il segnale di controllo può essere usato per controllo e/o stabilizzazione di lunghezza d'onda e per altri scopi. Secondo un metodo di realizzazione preferito, il etalon è formato almeno di due riflettori distribuiti di Bragg. Il etalon fornisce l'alta alimentazione di distinzione. In più, il etalon ha una funzione periodica di distinzione che può essere abbinata alle scanalature periodiche di un sistema denso di funzionamento in multiplex di divisione di lunghezza d'onda. Secondo una funzione dell'invenzione, la corrente elettrica può essere applicata agli strati selezionati del dispositivo per sintonizzare e/o spostare la risposta del dispositivo. Se voluta, l'invenzione può essere compresa in una struttura della guida di onde, quale una fibra ottica. La presente invenzione inoltre si riferisce ad una tecnica di fusione della cialda per fare i dispositivi integrati.