The present invention provides systems, methods and apparatus for high temperature (at least about 500-800.degree. C.) processing of semiconductor wafers. The systems, methods and apparatus of the present invention allow multiple process steps to be performed in situ in the same chamber to reduce total processing time and to ensure high quality processing for high aspect ratio devices. Performing multiple process steps in the same chamber also increases the control of the process parameters and reduces device damage. In particular, the present invention can provide high temperature deposition, heating and efficient cleaning for forming dielectric films having thickness uniformity, good gap fill capability, high density, low moisture, and other desired characteristics.

A invenção atual fornece sistemas, métodos e instrumento para a alta temperatura (ao menos sobre 500-800.degree. C.) processar de wafers de semicondutor. Os sistemas, os métodos e os instrumentos da invenção atual permitem que as etapas process múltiplas sejam executadas no situ na mesma câmara para reduzir o tempo processando do total e para assegurar a qualidade elevada que processa para dispositivos elevados da relação de aspecto. Executar etapas process múltiplas na mesma câmara também aumenta o controle dos parâmetros process e reduz os danos do dispositivo. No detalhe, a invenção atual pode fornecer o deposition de alta temperatura, o heating e limpeza eficiente para dar forma às películas dieléctricas que têm a uniformidade da espessura, potencialidade boa da suficiência da abertura, densidade elevada, umidade baixa, e outras características desejadas.