After a wiring material layer (14) which is made of WSi.sub.2 or the like is formed on an insulation film covering a semiconductor substrate (10), a first antireflection coating film (16) which is made of TiON or TiN and a second antireflection coating film (18) which is made of an organic material are sequentially formed on the wiring material layer (14). Resist patterns (20a to 20c) are formed on the second antireflection coating film (18) by photolithography. The dry etching of the second antireflection coating film (18) is performed using the resist patterns (20a to 20c) as masks, after which the dry etching of the first antireflection coating film (16) is conducted using the resist patterns (20a to 20c) and patterns (18a to 18c) of the second antireflection coating film (18) as masks. The dry etching of the wiring material layer (14) is effected using the resist patterns (20a to 20c), the patterns (18a to 18c) of the second antireflection coating film (18) and patterns (16a to 16c) of the first antireflection coating film (16) as masks. The resist patterns (20a to 20c) and the patterns (18a to 18c) of the second antireflection coating film (18) are removed. Lamination layers, each including one of patterns of the wiring material layer (14) and one of the patterns of the first antireflection coating film (16), form wiring layers. The resist patterns (20a to 20c) and the patterns of the second antireflection coating film (18) may be removed after the etching of the first antireflection coating film (16), and the wring material layer (14) may be etched using the patterns of the first antireflection coating film (16) as masks.

Dopo uno strato materiale dei collegamenti (14) che è fatto di WSi.sub.2 e simili è formato su una pellicola dell'isolamento che copre un substrato a semiconduttore (10), una pellicola ricoprente di prima antiriflessione (16) che è fatta di TiON o latta e una pellicola ricoprente di seconda antiriflessione (18) che è fatta di un materiale organico in sequenza sono formati sullo strato materiale dei collegamenti (14). Resista ai modelli (20a a 20c) sono formati sulla pellicola ricoprente di seconda antiriflessione (18) da photolithography. Acquaforte asciutta della pellicola ricoprente di seconda antiriflessione (18) è effettuata usando i modelli di resistenza (20a a 20c) come mascherine, dopo di che acquaforte asciutta della pellicola ricoprente di prima antiriflessione (16) è condotta usando i modelli di resistenza (20a a 20c) ed i modelli (18a a 18c) della pellicola ricoprente di seconda antiriflessione (18) come mascherine. Acquaforte asciutta dello strato materiale dei collegamenti (14) è effettuata usando i modelli di resistenza (20a a 20c), i modelli (18a a 18c) della pellicola ricoprente di seconda antiriflessione (18) ed i modelli (16a a 16c) della pellicola ricoprente di prima antiriflessione (16) come mascherine. I modelli di resistenza (20a a 20c) ed i modelli (18a a 18c) della pellicola ricoprente di seconda antiriflessione (18) sono rimossi. Gli strati della laminazione, ciascuno compreso uno dei modelli dello strato materiale dei collegamenti (14) ed uno dei modelli della pellicola ricoprente di prima antiriflessione (16), collegamenti della forma fa uno strato di. I modelli di resistenza (20a a 20c) ed i modelli della pellicola ricoprente di seconda antiriflessione (18) possono essere rimossi dopo acquaforte della pellicola ricoprente di prima antiriflessione (16) e lo strato materiale di estorsione (14) può essere inciso usando i modelli della pellicola ricoprente di prima antiriflessione (16) come mascherine.