A tunable semiconductor laser system includes a laser with a semiconductor active region positioned between upper and lower confining regions of opposite type semiconductor material. First and second reflective members are positioned at opposing edges of the active and confining regions. A wavelength tuning member and a temperature sensor are coupled to the laser. A control loop is coupled to the temperature sensor and the tuning member. In response to a detected change in temperature the control loop sends an adjustment signal to the tuning member and the tuning member adjusts a voltage or current supplied to the laser to provide a controlled output beam of selected wavelength.

Een melodieus systeem van de halfgeleiderlaser omvat een laser met een halfgeleider actief gebied dat tussen hogere en lagere beperkende gebieden van het tegenovergestelde materiaal van de typehalfgeleider wordt geplaatst. Eerst en tweede weerspiegelende leden worden geplaatst bij zich het verzetten van randen van de actieve en beperkende gebieden. Een golflengte stemmend lid en een temperatuursensor worden gekoppeld aan de laser. Een controlelijn wordt gekoppeld aan de temperatuursensor en het stemmende lid. In antwoord op een ontdekte verandering in temperatuur verzendt de controlelijn een aanpassingssignaal naar het stemmende lid en het stemmende lid past een voltage of een stroom die aan de laser aan wordt geleverd om een gecontroleerde outputstraal van geselecteerde golflengte te verstrekken.