A semiconductor device is manufactured by a method including the steps of forming a through hole in an interlayer dielectric layer (silicon oxide layer, BPSG layer, etc.) formed on a semiconductor substrate having a device element. A barrier layer is formed on surfaces of the interlayer dielectric layer and the through hole. A wiring layer is formed on the barrier layer. The barrier layer is formed by a method including the following steps. A titanium layer that forms at least a part of the barrier layer is formed. A heat treatment is conducted in a nitrogen atmosphere to form a titanium nitride layer at least on a surface of the titanium layer. The titanium nitride layer is contacted with oxygen in an atmosphere including oxygen. A heat treatment is conducted in a nitrogen atmosphere to form titanium oxide layers and to densify the titanium nitride layer.

Een halfgeleiderapparaat wordt vervaardigd door een methode met inbegrip van de stappen van het vormen van a door gat in een tussenlaag diëlektrische laag (de laag van het siliciumoxyde, BPSG laag, enz.) gevormd op een halfgeleidersubstraat dat een apparatenelement heeft. Een barrièrelaag wordt gevormd op oppervlakten van de tussenlaag diëlektrische laag en het door gat. Een bedradingslaag wordt gevormd op de barrièrelaag. De barrièrelaag wordt gevormd door een methode met inbegrip van de volgende stappen. Een titaniumlaag die minstens een deel van de barrièrelaag vormt wordt gevormd. Een thermische behandeling wordt geleid in een stikstofatmosfeer om een laag van het titaniumnitride op zijn minst op een oppervlakte van de titaniumlaag te vormen. De laag van het titaniumnitride wordt gecontacteerd met zuurstof in een atmosfeer met inbegrip van zuurstof. Een thermische behandeling wordt geleid in een stikstofatmosfeer aan het oxydelagen van het vormtitanium en densify de laag van het titaniumnitride.