A method of forming an image sensor is disclosed. A partially processed semiconductor wafer is provide, containing p-type and/or n-type regions which are bounded by isolation regions and with gate oxide layers grown on the surfaces upon which gate electrode structures are disposed, some of said gate electrode structures will serve as gate electrodes of image sensor transistors. Ions are implanted to form source/drain structures about the said gate electrode structures, with an extended region for source drains bordering photodiode regions. Ions are implanted to form photodiodes, overlapping the extended bordering source drain regions. A blanket transparent insulating layer is deposited.

Un método de formar un sensor de la imagen se divulga. Una oblea de semiconductor parcialmente procesada es proporciona, conteniendo el p-tipo y/o el n-tipo regiones que son limitados por regiones del aislamiento y con las capas del óxido de la puerta crecidas en las superficies sobre las cuales se disponen las estructuras del electrodo de puerta, algunas de las estructuras dichas del electrodo de puerta servirá como electrodos de puerta de los transistores del sensor de la imagen. Los iones se implantan para formar las estructuras de source/drain sobre las estructuras dichas del electrodo de puerta, con una región extendida para los drenes de la fuente que confinan regiones del fotodiodo. Los iones se implantan para formar los fotodiodos, traslapando las regiones extendidas del dren de la fuente que confinan. Se deposita una capa de aislamiento transparente combinada.