An MRAM cell and a method of programming the cell are disclosed. The cell includes a free layer of magnetic material having a ferromagnetic resonance with a resonant frequency, the ferromagnetic resonance having a Q greater than one. A hard axis and an easy axis write line are positioned in magnetic communication with the free layer. A cladding layer partially surrounds the hard axis write line and has a similar resonant frequency and with a ferromagnetic resonance Q greater than one. A write signal including the resonant frequency is applied to the hard axis write line and simultaneously a write pulse is applied to the easy axis write line. The Qs of the cell and the cladding layer multiply to substantially increase the switching magnetic field or reduce the current required to provide the same magnetic field.

Eine MRAM Zelle und eine Methode der Programmierung der Zelle werden freigegeben. Die Zelle schließt eine freie Schicht magnetisches Material ein, das eine ferromagnetische Resonanz mit einer Resonanzfrequenz, die ferromagnetische Resonanz hat, die ein Q grösser als eins hat. Eine harte Mittellinie und eine einfache Mittellinie schreiben Linie werden in Position gebracht in magnetische Kommunikation mit der freien Schicht. Eine Umhüllungschicht umgibt teilweise die harte Mittellinie schreiben Linie und haben eine ähnliche Resonanzfrequenz und mit einer ferromagnetischen Resonanz Q grösser als eins. Ein schreibensignal einschließlich die Resonanzfrequenz wird an der harten Mittellinie schreiben Linie angewendet und gleichzeitig wird ein schreibenimpuls an der einfachen Mittellinie schreiben Linie angewendet. Das Qs der Zelle und die Umhüllungschicht multiplizieren, um die Schaltung im wesentlichen zu erhöhen, die magnetisch ist, auffangen oder verringern den Strom, der erfordert wird, um das gleiche magnetische zur Verfügung zu stellen, auffangen.