Multi-metallic films are prepared from multi-metallic mixtures of metalloamide compounds. The mixtures are subjected to vaporization to form a multi-metallic vapor having defined and controllable stoichiometry. The multi-metallic vapor is then transferred to a chemical vapor deposition chamber, with or without the presence of a reactant gas, to form the multi-metallic film. Multi-metallic nitride, oxide, sulfide, boride, silicide, germanide, phosphide, arsenide, selenide, telluride, etc. films may be prepared by appropriate choice of metalloamide compounds and reactant gas(es).

De multi-metaal films worden voorbereid van multi-metaalmengsels van metalloamidesamenstellingen. De mengsels worden onderworpen aan verdamping om een multi-metaaldamp te vormen die de bepaalde en controleerbare stoichiometrie hebben. De multi-metaaldamp wordt dan overgebracht naar een kamer van het chemische dampdeposito, met of zonder de aanwezigheid van een reactantgas, om de multi-metaalfilm te vormen. Het multi-metaal nitride, het oxyde, het sulfide, boride, silicide, germanide, het fosfide, arsenide, het selenide, het telluride, de enz.films kunnen door aangewezen keus van metalloamidesamenstellingen en reactantgas (es) worden voorbereid.