The present invention provides systems, methods and apparatus for high temperature (at least about 500-800.degree. C.) processing of semiconductor wafers. The systems, methods and apparatus of the present invention allow multiple process steps to be performed in situ in the same chamber to reduce total processing time and to ensure high quality processing for high aspect ratio devices. Performing multiple process steps in the same chamber also increases the control of the process parameters and reduces device damage. In particular, the present invention can provide high temperature deposition, heating and efficient cleaning for forming dielectric films having thickness uniformity, good gap fill capability, high density, low moisture, and other desired characteristics.

La presente invenzione fornisce i sistemi, i metodi e l'apparecchio per temperatura elevata (almeno circa 500-800.degree. C.) elaborazione delle cialde a semiconduttore. I sistemi, i metodi e gli apparecchi di presente invenzione permettono che i punti trattati multipli siano effettuati in situ nello stesso alloggiamento per ridurre il tempo di lavorazione di totale e per accertare l'alta qualità che procede per gli alti dispositivi di allungamento. Effettuando le operazione trattate multiple nello stesso alloggiamento inoltre aumenta il controllo dei parametri trattati e riduce danni del dispositivo. In particolare, la presente invenzione può fornire il deposito a temperatura elevata, heating e pulizia efficiente per formare le pellicole dielettriche che hanno uniformità di spessore, buona possibilità del materiale di riempimento di spacco, alta densità, umidità bassa ed altre caratteristiche volute.