A storage cell has a number of projections of a semiconductor substrate arranged in rows and columns, neighboring rows of the projections being translation-symmetrical in relation to a y-axis which extends parallel to the columns. Each of the projections has at least one first source/drain region of a selection transistor and one channel region arranged below the first source/drain region, which is surrounded by a gate electrode annularly. A storage capacitor is connected between the first source/drain region and a bit line. The bit line as well as the storage capacitor are arranged essentially above the semiconductor substrate. Second source/drain regions of selection transistors are buried in the semiconductor substrate and connected with each other. Word lines can be formed self-justified in the form of adjacent gate electrodes. The projections can be created by etching with only one mask. The storage cell can be produced with an area of 4F.sup.2, F being the minimal structural size that can be produced in the respective technology.

Une cellule de stockage a un certain nombre de projections d'un substrat de semi-conducteur disposé dans les rangées et les colonnes, rangées voisines des projections étant traduction-symétriques par rapport à un axe des ordonnées qui prolonge le parallèle aux colonnes. Chacune des projections a au moins l'une première région de source/drain d'un transistor de choix et une région de canal disposée au-dessous de la première région de source/drain, qui est entourée par une électrode de porte annulairement. Un condensateur de stockage est relié entre la première région de source/drain et une ligne de peu. La ligne de peu aussi bien que le condensateur de stockage sont arrangées essentiellement au-dessus du substrat de semi-conducteur. Les deuxièmes régions de source/drain des transistors de choix sont enterrées dans le substrat de semi-conducteur et reliées à l'un l'autre. Les lignes de mot peuvent être art de l'auto-portrait-justified formés sous forme d'électrodes de porte adjacentes. Les projections peuvent être créées par graver à l'eau-forte avec seulement un masque. La cellule de stockage peut être produite avec un secteur de 4F.sup.2, F étant la taille structurale minimale qui peut être produite en technologie respective.