A semiconductor memory device, a method for manufacturing the same, a
memory circuit including the semiconductor memory device, and a method for
driving the same, are provided. In detail, one transistor forms a memory
cell, and a single transistor cell capable of arbitrarily accessing the
memory cell, a method for manufacturing the same, a memory circuit, and a
method for driving the memory circuit, are provided. An island type
semiconductor layer as an active region is formed on a ferroelectric
layer. A word line crosses the semiconductor layer. A source is formed on
the semiconductor layer on one side of the word line, and a drain is
formed on the other side. A plate line is formed below the ferroelectric
layer to face the word line, and intersects the word line. A drive line is
connected to the source, and a bit line is connected to the drain.
Обеспечены приспособление памяти полупроводника, метод для изготовлять эти же, цепь памяти включая приспособление памяти полупроводника, и метод для управлять этими же. In detail, один транзистор формирует ячейкы памяти, и обеспечена одиночная клетка транзистора способная произвольно достигать ячейкы памяти, метода для изготовлять эти же, цепи памяти, и метода для управлять цепью памяти. Слой полупроводника типа острова как активно зона сформирован на ferroelectric слое. Линия слова пересекает слой полупроводника. Источник сформирован на слое полупроводника на одной стороне линии слова, и сток сформирован на другой стороне. Линия плиты сформирована под ferroelectric слоем для того чтобы смотреть на линию слова, и пересекает линию слова. Линия привода подключена к источнику, и линия бита соединена к стоку.