In the manufacture of sub-0.35 micron semiconductors using deep ultraviolet lithography, a bilayer of silicon dioxide on top of silicon oxynitride is used as bottom anti-reflective coating and an etch hard mask for photolithographic resist. Since the silicon dioxide is optically transparent at the deep ultraviolet wavelengths being used (248 nm), its thickness in combination with a preselected reflective silicon oxynitride thickness satisfies the zero reflectivity goal and, at the same time, is adequately thick to serve as a hard mask for self-aligned etch and self-aligned-source etch.

Στην κατασκευή των ημιαγωγών υπο-- 0,35 μικρών που χρησιμοποιεί τη βαθιά υπεριώδη λιθογραφία, ένα bilayer του διοξειδίου πυριτίου πάνω από oxynitride πυριτίου χρησιμοποιείται ως κατώτατο αντι-αντανακλαστικό επίστρωμα και χαράξτε σκληρή μάσκα για φωτολιθογραφικό αντιστέκεται. Δεδομένου ότι το διοξείδιο πυριτίου είναι οπτικά διαφανές στα βαθιά υπεριώδη μήκη κύματος που χρησιμοποιούνται (248 NM), το πάχος του σε συνδυασμό με ένα επιλεγμένο εκ των προτέρων αντανακλαστικό oxynitride πυριτίου πάχος ικανοποιεί το μηδέν στόχο ανακλαστικότητας και, συγχρόνως, είναι επαρκώς παχύ για να εξυπηρετήσει καθώς σκληρή μάσκα για μόνος-ευθυγραμμισμένος χαράζει και η μόνος-ευθυγραμμίζω-πηγή χαράζει.