In a semiconductor photo-detector of the present invention, a first semiconductor layer, a second semiconductor layer having, and a photo-absorption part composed of a photo-absorption layer sandwiched between these layers are disposed on a substrate, at least the photo-absorption layer is formed at a position apart inwardly by a finite length from an end surface of the substrate, an end surface of the second semiconductor layer and the substrate or the end surface of the substrate is provided with a light incident facet angled inwardly as it separates from the surface of the second semiconductor or the surface of the substrate. Further, a groove as a guide of an optical waveguide for guiding incident light is disposed opposing the light incident facet, or the substrate end surface at the light incident facet side is protruded by a finite length from a tip part of the light incident facet, or between the optical waveguide and the semiconductor photo-detector is buried in a solid or liquid, or a main reaching area of incident light refracted at an upper layer of the photo-absorption layer is terminated with a substance having a smaller refractive index than the semiconductor layer of photo-absorption region part, or the light incident facet and its vicinity are buried in an organic substance.

В фотодетекторе полупроводника присытствыющего вымысла, первого слоя полупроводника, второго слоя полупроводника иметь, и часть фото-absorbqiy составленная слоя фото-absorbqiy прослоенного между этими слоями размещана на субстрате, по крайней мере слой фото-absorbqiy сформирован на положении врозь внутренно небесконечной длиной от поверхности конца субстрата, поверхность конца второго слоя полупроводника и субстрата или поверхность конца субстрата обеспечен с светлой фасеткой случая двинутого под углом внутренно по мере того как он отделяется от поверхности второго полупроводника или поверхности субстрата. Более потом, размещан паз как направляющий выступ оптически волновода для направляя света случая сопротивляясь светлая фасетка случая, или поверхность конца субстрата на светлой стороне фасетки случая выступлена небесконечной длиной от части конца светлой фасетки случая, или между оптически волноводом и полупроводником фотодетектор похоронен в твердом или жидкостно, или главная достигая зона света случая рефрагированная на верхнем слое слоя фото-absorbqiy закончена вещество имея более малый рефрактивный индекс чем слой полупроводника части зоны фото-absorbqiy, или светлая фасетка случая и своя близость похоронены в органическом веществе.