Process for lift-off of a thin layer from a crystalline substrate, preferably the layer from a silicon wafer to further form a silicon-on-insulator (SOI) sandwich structure, wherein a separative interlayer comprises a thin quasi-continuous gaseous layer and said interlayer is obtained by gettering a monatomic hydrogen into a preformed buried defect-rich layer preferably obtained by implantation. The monatomic hydrogen is preferably inserted into the substrate by electrolytic means.

Le procédé pour le décollage d'une couche mince d'un substrat cristallin, de préférence la couche d'une gaufrette de silicium pour former plus loin une structure de sandwich à l'silicium-sur-isolateur (SOI), où une couche intercalaire séparatrice comporte une couche gazeuse quasi-continue mince et ladite couche intercalaire est obtenu par gettering un hydrogène monatomic dans une couche défaut-riche enterrée préformée de préférence obtenue par implantation. L'hydrogène monatomic est de préférence inséré dans le substrat par des moyens électrolytiques.