An improved MOSFET transistor is disclosed having a high dielectric constant gate dielectric and a metal gate electrode. With such a procedure, the known problems with polysilicon gate electrodes on very thin gate oxide transistors are greatly improved, resulting in improved gate threshold voltage control and improved transistor electrical properties, without loss of the benefit of self aligned source and drain electrodes available with polysilicon gates. Dual metal gate electrodes are also disclosed and exhibit improved CMOS transistor function compared to polysilicon gates, resulting in better and more controlled transistor properties. Thus the metal Damascene gate process results in faster and more consistent MOS and CMOS transistors and improved IC fabrication.

Μια βελτιωμένη mosfet κρυσταλλολυχνία αποκαλύπτεται έχοντας μια υψηλή πύλη διηλεκτρικής σταθεράς διηλεκτρική και ένα ηλεκτρόδιο πυλών μετάλλων. Με μια τέτοια διαδικασία, τα γνωστά προβλήματα με τα ηλεκτρόδια πυλών πολυπυρίτιων στις πολύ λεπτές κρυσταλλολυχνίες οξειδίων πυλών βελτιώνονται πολύ, με συνέπεια το βελτιωμένο έλεγχο τάσης κατώτατων ορίων πυλών και τις βελτιωμένες ηλεκτρικές ιδιότητες κρυσταλλολυχνιών, χωρίς απώλεια του οφέλους των μόνων ευθυγραμμισμένων ηλεκτροδίων πηγής και αγωγών διαθέσιμων με τις πύλες πολυπυρίτιων. Τα διπλά ηλεκτρόδια πυλών μετάλλων αποκαλύπτονται επίσης και εκθέτουν τη βελτιωμένη λειτουργία κρυσταλλολυχνιών CMOS έναντι στις πύλες πολυπυρίτιων, με συνέπεια τις καλύτερες και πιό ελεγχόμενες ιδιότητες κρυσταλλολυχνιών. Κατά συνέπεια η διαδικασία πυλών Damascene μετάλλων οδηγεί στις γρηγορότερες και συνεπέστερες κρυσταλλολυχνίες MOS και CMOS και τη βελτιωμένη επεξεργασία ολοκληρωμένου κυκλώματος.