A technique based on etching a release layer, for separating the nearly lattice matched substrate from a base substrate is disclosed. A nearly lattice matched substrate for the epitaxial growth of Group-III nitride semiconductor devices and method of fabricating the nearly lattice matched substrate and devices is disclosed. Enhanced ELOG methods are used to create low defect density GaN films. The GaN films are used to grow Group-III nitride LEDs and laser diodes.

Una tecnica ha basato sull'incidere uno strato all'acquaforte del rilascio, dato che separare quasi il substrato abbinato grata da un substrato basso è rilevata. Quasi un substrato abbinato grata per lo sviluppo epitassiale dei dispositivi a semiconduttore del nitruro del Gruppo-III ed il metodo di fabbricare quasi il substrato ed i dispositivi abbinati grata è rilevato. I metodi aumentati di ELOG sono usati per generare le pellicole basse di GaN di densità di difetto. Le pellicole di GaN sono usate per sviluppare il nitruro LED del Gruppo-III ed i diodi del laser.