Two charge transfer passages of one TFT, which comprise two areas with island layers of p-Si intersecting at right angles and running from respective drain areas ND, PD to source areas NS, PS through an LD area LD and a channel area CH, are arranged non-parallel to each other. Even if a defective crystallization area R, which is caused due to uneven intensity in an irradiated area in laser annealing for forming p-Si of a p-Si TFT LCD, passes across the TFT area, and either of the transfer passages is defective, the remaining one operates normally, and the component characteristics are maintained as desired.

Δύο μεταβάσεις μεταφοράς δαπανών ενός TFT, που περιλαμβάνουν δύο περιοχές με τα στρώματα νησιών του PSI που κόβει κάθετα και που τρέχει από το αντίστοιχο ND περιοχών αγωγών, pd στις περιοχές NS, PS πηγής μέσω μιας περιοχής LD LD και μιας περιοχής CH καναλιών, τακτοποιούνται μη παράλληλος ο ένας στον άλλο. Ακόμα κι αν μια ελαττωματική περιοχή ρ κρυστάλλωσης, που προκαλείται λόγω στην ανώμαλη ένταση σε μια ακτινοβολημένη περιοχή στην ανόπτηση λέιζερ για τη διαμόρφωση του PSI ενός PSI TFT LCD, περνά πέρα από την περιοχή TFT, και καθεμία των μεταβάσεων μεταφοράς είναι ελαττωματική, ο παρα:μένω λειτουργεί κανονικά, και τα συστατικά χαρακτηριστικά διατηρούνται όπως επιδιώκονται.