Integrated circuit ferroelectric memory devices are manufactured by forming a first patterned conductive layer on an integrated circuit substrate, to define a lower capacitor electrode and a gate electrode that is spaced apart therefrom. A source region and a drain region are formed on opposite sides of the gate electrode. A ferroelectric layer is formed on the lower capacitor electrode. An upper capacitor electrode is formed on the ferroelectric layer opposite the lower capacitor electrode, to thereby form a ferroelectric capacitor. After forming the upper capacitor electrode, an interconnect layer is formed that electrically connects the top electrode and the source region. A bit line is formed that electrically contacts the drain region. Preferably, both the interconnect layer and the bit line are formed from the same conductive layer. Integrated circuit ferroelectric memory devices include an integrated circuit substrate including an elongated active region therein, and a pair of spaced apart word lines that cross the elongated active region. A drain region is provided in the elongated active region between the pair of word lines. A pair of source regions is provided in the elongated active region, a respective one of which is outside the pair of spaced apart word lines on opposite sides of the drain region. A pair of ferroelectric capacitors are provided outside the elongated active region. A respective one of the ferroelectric capacitors is adjacent a respective one of the pair of source regions. An interconnect layer electrically connects a respective one of the upper capacitor electrodes to a respective one of the source regions and a bit line, electrically connected to the drain region and extending along the integrated circuit substrate orthogonal to the word lines.

I dispositivi di memoria ferroelectric del circuito integrato sono prodotti formando uno strato conduttivo in primo luogo modellato su un substrato del circuito integrato, per definire un elettrodo più basso del condensatore e un elettrodo di cancello che è spaziato a parte da ciò. Una regione di fonte e una regione dello scolo sono formate dai lati opposti dell'elettrodo di cancello. Uno strato ferroelectric è formato sull'elettrodo più basso del condensatore. Un elettrodo superiore del condensatore è formato sullo strato ferroelectric di fronte all'elettrodo più basso del condensatore, quindi per formare un condensatore ferroelectric. Dopo avere formato l'elettrodo superiore del condensatore, uno strato di interconnessione è formato che collega elettricamente l'elettrodo superiore e la regione di fonte. Una linea della punta è formata che si mette in contatto con elettricamente la regione dello scolo. Preferibilmente, sia lo strato di interconnessione che la linea della punta sono formati dallo stesso strato conduttivo. I dispositivi di memoria ferroelectric del circuito integrato includono un substrato del circuito integrato compreso una regione attiva prolungata in ciò e un accoppiamento della parola diversa spaziata allinea quella traversa la regione attiva prolungata. Una regione dello scolo è fornita nella regione attiva prolungata fra l'accoppiamento delle linee di parola. Un accoppiamento delle regioni di fonte è fornito nella regione attiva prolungata, rispettiva di cui è fuori dell'accoppiamento delle linee diverse spaziate di parola dai lati opposti della regione dello scolo. Un accoppiamento dei condensatori ferroelectric è fornito fuori della regione attiva prolungata. Rispettivo dei condensatori ferroelectric è adiacente rispettivo dell'accoppiamento delle regioni di fonte. Uno strato di interconnessione collega elettricamente rispettivo degli elettrodi superiori del condensatore a rispettivo delle regioni di fonte e di una linea della punta, collegato elettricamente alla regione dello scolo ed all'estensione lungo il substrato del circuito integrato ortogonale fino le linee di parola.