An economical method of fabricating a high quality ZnO thin film with only NBE and without any deep-level emission at room temperature in order to replace conventional III-V group compounds such as GaN, and an apparatus therefor. The method comprises the steps of introducing argon (Ar) and oxygen (O.sub.2) into a vacuum chamber while maintaining a vacuum level of 1-100 mTorr in the vacuum chamber, preheating a substrate, depositing a ZnO monocrystal thin film on the substrate by RF magnetron sputtering while introducing carbon(C) or nitrogen (N) atoms from an atomic radical source installed over the substrate, and slowly cooling the substrate while maintaining a partial pressure of oxygen in the vacuum chamber at a partial pressure level used while depositing the ZnO thin film.

Un metodo economico di fabbricare una pellicola sottile di ZnO di alta qualità con soltanto NBE e senza qualsiasi emissione del profondo-livello alla temperatura ambiente per sostituire i residui convenzionali del gruppo di III-V quale GaN e un apparecchio per questo. Il metodo contiene i punti introduzione l'argon (Ar) e dell'ossigeno (O.sub.2) in un alloggiamento di vuoto mentre effettua un livello di vuoto di mTorr 1-100 nell'alloggiamento di vuoto, preriscaldando un substrato, depositando una pellicola sottile del monocristallo di ZnO sul substrato dal magnetron della RF che polverizza mentre introduce gli atomi dell'azoto o del carbon(C) (n) da una fonte radicale atomica installata sopra il substrato e lentamente raffreddando il substrato mentre effettuare una pressione parziale di ossigeno nell'alloggiamento di vuoto ad un livello parziale di pressione ha usato mentre depositando la pellicola sottile di ZnO.