In a magnetoresistive element, deposition of a conductor layer in a DC magnetron sputtering apparatus causes application of tensile stress to the conductor layer, causing the problem of readily producing separation of the conductor layer. In the present invention, a conductor layer is formed so that the crystal face spacing in the direction perpendicular to the film plane is larger than the crystal face spacing of a bulk material. This permits application of compression stress to the conductor layer, preventing separation of the conductor layer.

In een magnetoresistive element, veroorzaakt het deposito van een leiderlaag in een het magnetron sputterend apparaat van DC toepassing van trekspanning op de leiderlaag, veroorzakend het probleem om scheiding van de leiderlaag gemakkelijk te veroorzaken. In de onderhavige uitvinding, wordt een leiderlaag gevormd zodat kristalgezicht uit elkaar plaatsen in de richtingsloodlijn aan het filmvliegtuig groter is dan kristalgezicht het uit elkaar plaatsen van een bulkmateriaal. Dit laat toepassing van compressiespanning op de leiderlaag toe, die scheiding van de leiderlaag verhindert.