An improved method for reworking photoresist is provided for decreasing cycle time of photoresist reworking process. A semiconductor substrate with an underlying layer is provided for patterning. A photoresist pattern is formed on the underlying layer. A photoresist reworking process is performed after an after-development-inspection (ADI) is performed. The photoresist reworking method comprises the following steps. The semiconductor substrate is placed in organic stripper for removing the most portion of the photoresist pattern. Subsequently, the semiconductor substrate is placed in a single-wafer processor and an UV/O.sub.3 dry ashing is then performed to remove completely the residual photoresist pattern on the underlying layer. A new photoresist layer is deposited on the underlying layer after the photoresist pattern removed completely.

Un metodo migliorato per la ripresa del photoresist è fornito per tempo di ciclo di diminuzione di photoresist che riprende il processo. Un substrato a semiconduttore con uno strato di fondo è fornito per modellare. Un modello del photoresist è formato sullo strato di fondo. Un photoresist che riprende il processo è effettuato dopo che un dopo-sviluppo-controllo (ADI) sia realizzato. Il photoresist che riprende il metodo contiene i seguenti punti. Il substrato a semiconduttore è disposto in estrattore organico per la rimozione della maggior parte parte del modello del photoresist. Successivamente, il substrato a semiconduttore è disposto in un processor della singolo-cialda e un incenerimento asciutto UV/O.sub.3 allora è effettuato per rimuovere completamente il modello residuo del photoresist sullo strato di fondo. Un nuovo strato di photoresist è depositato sullo strato di fondo dopo il modello del photoresist rimosso completamente.