A magnetic memory cell is disclosed having a structure that prevents disruptions to the magnetization in the sense layer of the magnetic memory cell. In one embodiment, the structure includes a high permeability magnetic film that serves as a keeper for the sense layer magnetization. The keeper structure provides a flux closure path that directs demagnetization fields away from the sense layer. In another embodiment, the structure contains a hard ferromagnetic film that applies a local magnetic field to the sense layer in the magnetic memory cell.

Ένα μαγνητικό κύτταρο μνήμης αποκαλύπτεται έχοντας μια δομή που αποτρέπει τις διασπάσεις στη μαγνήτιση στο στρώμα αίσθησης του μαγνητικού κυττάρου μνήμης. Σε μια ενσωμάτωση, η δομή περιλαμβάνει μια υψηλή μαγνητική ταινία διαπερατότητας που χρησιμεύει ως ένας φύλακας για τη μαγνήτιση στρώματος αίσθησης. Η δομή φυλάκων παρέχει μια πορεία περάτωσης ροής που κατευθύνει τους τομείς απομαγνήτισης μακρυά από το στρώμα αίσθησης. Σε μια άλλη ενσωμάτωση, η δομή περιέχει μια σκληρή σιδηρομαγνητική ταινία που εφαρμόζει ένα τοπικό μαγνητικό πεδίο στο στρώμα αίσθησης στο μαγνητικό κύτταρο μνήμης.