This invention pertains to a method of fabricating a MRAM structure and the resulting structure. The MRAM structure of the invention has the pinned layer recessed within a trench with the upper magnetic layer positioned over it. The method of MRAM fabrication utilizes a spacer processing technique, whereby the upper magnetic layer of the MRAM stack structure is formed between the region defined by the spacers, thereby allowing for self-alignment of the upper magnetic layer over the underlying pinned magnetic layer.

Deze uitvinding behoort tot een methode om een structuur MRAM en de resulterende structuur te vervaardigen. De structuur MRAM van de uitvinding heeft de gespelde laag in een nis gezet binnen een geul met de hogere magnetische laag die over het wordt geplaatst. De methode van vervaardiging MRAM gebruikt een techniek van de verbindingsstukverwerking, waardoor de hogere magnetische laag van de MRAM stapelstructuur tussen het gebied gevormd wordt dat door de verbindingsstukken wordt bepaald, daardoor toestaand voor zelf-groepering van de hogere magnetische laag meer dan de onderliggende gespelde magnetische laag.