A ferroelectric structure on an integrated circuit and methods of making and using the same are disclosed, which may be used, for instance, in a high-speed, non-volatile, non-destructive readout random-access memory device. Generally, the ferroelectric structure combines a thin film ferroelectric variable resistor and a substrate (e.g. silicon) transistor, using a semiconducting film which is common to both. A field effect transistor 26 integrated into substrate 30 has a gate oxide 36 and a semiconducting gate electrode 38 with electrical connections at a first end 44 and a second end 46. Overlying gate electrode 38 is a ferroelectric thin film 40 and a conductive electrode 42. The polarization of ferroelectric thin film 40 is set by applying an appropriate voltage between gate electrode 38 and conductive electrode 42. The polarization of ferroelectric thin film 40 may be subsequently determined by applying a read voltage to 42 and 44, thus causing a voltage V.sub.2 to appear at 46 which is determined by the polarization of the ferroelectric variable resistor formed by 38 and 40. Since 38 also forms the gate electrode for field effect transistor 26, the magnitude of V.sub.2 affects the magnitude of current I.sub.2. Thus I.sub.2 is effectively an amplified signal related to the ferroelectric variable resistance which may be read without perturbing the polarization of ferroelectric thin film 40.

Μια σιδηροηλεκτρική δομή σε ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα και οι μέθοδοι και το ίδιο πράγμα αποκαλύπτονται, το οποίο μπορεί χρησιμοποιώ, παραδείγματος χάριν, σε μια μεγάλη ταχύτητα, αμετάβλητη, μη καταστρεπτική συσκευή μνήμης τυχαίας προσπέλασης ανάγνωσης. Γενικά, η σιδηροηλεκτρική δομή συνδυάζει έναν σιδηροηλεκτρικό μεταβλητό αντιστάτη λεπτών ταινιών και μια κρυσταλλολυχνία υποστρωμάτων (π.χ. πυρίτιο), χρησιμοποιώντας μια ημιαγωγική ταινία που είναι κοινή και για τους δύο. Μια κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων 26 που ενσωματώνεται στο υπόστρωμα 30 έχει ένα οξείδιο 36 πυλών και ένα ημιαγωγικό ηλεκτρόδιο 38 πυλών με τις ηλεκτρικές συνδέσεις σε ένα πρώτο τέλος 44 και ένα δεύτερο τέλος 46, επικαλύπτοντας ηλεκτρόδιο 38 πυλών είναι μια σιδηροηλεκτρική λεπτή ταινία 40 και ένα αγώγιμο ηλεκτρόδιο 42. Η πόλωση της σιδηροηλεκτρικής λεπτής ταινίας 40 τίθεται με την εφαρμογή μιας κατάλληλης τάσης μεταξύ του ηλεκτροδίου 38 πυλών και του αγώγιμου ηλεκτροδίου 42. Η πόλωση της σιδηροηλεκτρικής λεπτής ταινίας 40 μπορεί να καθοριστεί στη συνέχεια με την εφαρμογή μιας διαβασμένης τάσης σε 42 και 44, αναγκάζοντας κατά συνέπεια μια τάση V.sub.2 για να εμφανιστεί σε 46 που καθορίζεται από την πόλωση του σιδηροηλεκτρικού μεταβλητού αντιστάτη που διαμορφώνεται από 38 και 40. Δεδομένου ότι 38 επίσης διαμορφώνουν το ηλεκτρόδιο πυλών για την κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων 26, το μέγεθος V.sub.2 έχει επιπτώσεις στο μέγεθος τρεχόντων I.sub.2. Κατά συνέπεια I.sub.2 είναι αποτελεσματικά ένα ενισχυμένο σήμα σχετικό με τη σιδηροηλεκτρική μεταβλητή αντίσταση που μπορεί να διαβαστεί χωρίς διατάραξη της πόλωσης της σιδηροηλεκτρικής λεπτής ταινίας 40.