Disclosed herein are (1) a light-emitting semiconductor device that uses a
gallium nitride compound semiconductor (Al.sub.x Ga.sub.1-x N) in which
the n-layer of n-type gallium nitride compound semiconductor (Al.sub.x
Ga.sub.1-x N) is of double-layer structure including an n-layer of low
carrier concentration and an n.sup.+ -layer of high carrier concentration,
the former being adjacent to the i-layer of insulating gallium nitride
compound semiconductor (Al.sub.x Ga.sub.1-x N); (2) a light-emitting
semiconductor device of similar structure as above in which the i-layer is
of double-layer structure including an i.sub.L -layer of low impurity
concentration containing p-type impurities in comparatively low
concentration and an i.sub.H -layer of high impurity concentration
containing p-type impurities in comparatively high concentration, the
former being adjacent to the n-layer; (3) a light-emitting semiconductor
device having both of the above-mentioned features and (4) a method of
producing a layer of an n-type gallium nitride compound semiconductor
(Al.sub.x Ga.sub.1-x N) having a controlled conductivity from an
organometallic compound by vapor phase epitaxy, by feeding a
silicon-containing gas and other raw material gases together at a
controlled mixing ratio.
Hierin onthuld is (1) een lichtgevend halfgeleiderapparaat dat een de samenstellingshalfgeleider gebruikt van het galliumnitride (Al.sub.x ga.sub.1-X N) waarin de n-laag van van het n-type de samenstellingshalfgeleider galliumnitride (Al.sub.x ga.sub.1-X N) is van dubbel-laagstructuur met inbegrip van een n-laag van lage dragerconcentratie en n.sup. + - laag van hoge dragerconcentratie, de eerstgenoemden die naast de I-laag van het isoleren de samenstellingshalfgeleider is van het galliumnitride (Al.sub.x ga.sub.1-X N); (2) een lichtgevend halfgeleiderapparaat van gelijkaardige structuur zoals hierboven waarin de I-laag van dubbel-laagstructuur met inbegrip van een i.sub.L is - laag van lage onzuiverheidsconcentratie die p-type onzuiverheden in betrekkelijk lage concentratie en een i.sub.H bevat - laag van hoge onzuiverheidsconcentratie die p-type onzuiverheden betrekkelijk bevat in g semiconductor device of similar structure as above in which the i-layer is of double-layer structure including an i.sub.L - layer of low impurity concentration containing p-type impurities in comparatively low concentration and an i.sub.H - layer of high impurity concentration containing p-type impurities in comparatively high concentration, de eerstgenoemden die naast de n-laag zijn; (3) een lichtgevend halfgeleiderapparaat zowel van de bovengenoemde eigenschappen hebben als (4) een methode die om een laag van een van het n-type de samenstellingshalfgeleider galliumnitride te veroorzaken (Al.sub.x ga.sub.1-X die N) een gecontroleerd geleidingsvermogen van een organometallic samenstelling hebben door epitaxy van de dampfase, door een silicium-bevattend gas en andere grondstoffengassen samen bij een gecontroleerde het mengen zich verhouding te voeden.
