A luminous intensity of a semiconductor light emitting device having a multi-layer structure formed of nitride group III-V compound semiconductors is improved by having a thickness d of a light emitting layer (active layer) of the semiconductor light emitting device having a multi-layer structure of nitride group III-V compound semiconductors ranging from 0.3 nm to 1.5 nm.

Светящая интенсивность приспособления полупроводника светлого испуская имея разнослоистую структуру сформированную полупроводников группы III-V нитрида составных улучшена путем иметь толщину д светлого испуская слоя (активно слоя) приспособления полупроводника светлого испуская имея разнослоистую структуру полупроводников группы III-V нитрида составных колебаясь от 0.3 nm до 1.5 nm.