In order to realize a higher reliability TFT and a high reliability semiconductor device, an NTFT of the present invention has a channel forming region, n-type first, second, and third impurity regions in a semiconductor layer. The second impurity region is a low concentration impurity region that overlaps a tapered potion of a gate electrode with a gate insulating film interposed therebetween, and the impurity concentration of the second impurity region increases gradually from the channel forming region to the first impurity region. And, the third impurity region is a low concentration impurity region that does not overlap the gate electrode. Moreover, a plurality of NTFTs on the same substrate should have different second impurity region lengths, respectively, according to difference of the operating voltages. That is, when the operating voltage of the second TFT is higher than the operating voltage of the first TFT, the length of the second impurity region is longer on the second TFT than on the first TFT.

Um eine höhere Zuverlässigkeit TFT und ein hohes Zuverlässigkeit Halbleiterelement zu verwirklichen, hat ein NTFT der anwesenden Erfindung eine Führung Region, Nart zuerst zu bilden, Sekunde, und dritte Verunreinigung Regionen in einem Halbleiter überlagern. Die zweite Verunreinigung Region ist eine niedrige Konzentration Verunreinigung Region, die mit einem sich verjüngenden Trank einer Gate-Elektrode mit einem isolierenden vermittelten Film des Gatters therebetween sich deckt und die Störstellenkonzentation der zweiten Verunreinigung Region sich stufenweise von der Führung erhöht, die Region auf die erste Verunreinigung Region bildet. Und, die dritte Verunreinigung Region ist eine niedrige Konzentration Verunreinigung Region, die sich nicht mit der Gate-Elektrode deckt. Außerdem sollte eine Mehrzahl von NTFTs auf dem gleichen Substrat unterschiedliche zweite Verunreinigung Regionlängen beziehungsweise entsprechend Unterschied der funktionierenden Spannungen haben. Das heißt, wenn die funktionierende Spannung des zweiten TFT höher als die funktionierende Spannung des ersten TFT ist, ist die Länge der zweiten Verunreinigung Region auf dem zweiten TFT als auf dem ersten TFT länger.