A microelectronic semiconductor interconnect structure barrier and method of deposition provide improved conductive barrier material properties for high-performance device interconnects. The barrier includes a refractory metal such as cobalt, cobalt-based alloys, ruthenium or ruthenium-based alloys for promoting adhesion of copper. The barrier materials can be deposited by chemical-vapor deposition to achieve good step coverage and a relatively conformal thin film with a good nucleation surface for subsequent metallization such as copper metallization. In one embodiment, the barrier suppresses diffusion of copper into other layers of the device, including the inter-metal dielectric, pre-metal dielectric, and transistor structures.

Uma barreira da estrutura do interconnect do semicondutor e um método microelectronic do deposition fornecem a barreira que condutora melhorada as propriedades materiais para o dispositivo high-performance interconectam. A barreira inclui um metal refratário tal como o cobalt, ligas cobalt-baseadas, ruthenium ou ligas ruthenium-baseadas para promover a adesão do cobre. Os materiais da barreira podem ser depositados pelo deposition do produto-vapor para conseguir a cobertura boa da etapa e uma película fina relativamente conformal com uma superfície boa do nucleation para o metallization subseqüente tal como o metallization de cobre. Em uma incorporação, a barreira suprime a difusão do cobre em outras camadas do dispositivo, including o dielétrico do inter-metal, o dielétrico do pre-metal, e as estruturas do transistor.