Precision alignment of one or more parts on a common carrier is described. A self-aligned common carrier includes a carrier substrate having one or more pockets formed in the substrate. Each pocket includes a side profile formed in the pocket. A chip having an identical side profile that complements the side profile in the pocket is mounted to the carrier substrate by inserting the chip into the pocket. The complementary side profiles result in near perfect self-alignment between the chip and at least two orthogonal planes of the carrier substrate. The chip and the carrier substrate can be made from a single crystal semiconductor material and the side profiles can be formed by anisotropic etch process that selectively etches the chip and the substrate along a predetermined crystalline plane. The chip and the carrier substrate can be single crystal silicon having a (100) crystalline orientation and the side profiles can be formed by selectively etching the silicon along a (111) crystalline plane. The matching coefficients of thermal expansion between the chip and the carrier substrate substantially reduces thermal stress related interconnect failures and misalignment between the chip and the carrier substrate. The carrier substrate and the chip can be anodically bonded to each other by oxidizing either one of the carrier substrate and the chip and etching the side profiles so that they are atomically flat.

O alinhamento da precisão de um ou mais porção em um portador comum é descrito. Um portador comum self-alinhado inclui uma carcaça do portador que tem um ou mais bolso dado forma na carcaça. Cada bolso inclui um perfil lateral dado forma no bolso. Uma microplaqueta que tem um perfil lateral idêntico que complemente o perfil lateral no bolso é montada à carcaça do portador introduzindo a microplaqueta no bolso. O lado complementar perfila o resultado no self-alinhamento perfeito próximo entre a microplaqueta e ao menos dois planos orthogonal da carcaça do portador. A microplaqueta e a carcaça do portador podem ser feitas de um material do semicondutor do único cristal e os perfis laterais podem ser dados forma pelo processo anisotropic gravura em àgua forte que grava seletivamente a microplaqueta e a carcaça ao longo de um plano cristalino predeterminado. A microplaqueta e a carcaça do portador podem ser silicone do único cristal que tem 100) a orientação cristalina de a (e os perfis laterais podem ser dados forma seletivamente gravando o silicone ao longo do plano cristalino de a (111). Os coeficientes combinando da expansão térmica entre a microplaqueta e a carcaça do portador reduzem substancialmente stress térmico falhas e o misalignment relacionados do interconnect entre a microplaqueta e a carcaça do portador. A carcaça do portador e a microplaqueta podem anodically seser- ligadas oxidando qualquer um uma da carcaça do portador e da microplaqueta e gravando os perfis do lado de modo que seja atômica lisa.