A hermetically coated device includes an integrated semiconductor circuit die, a first layer comprising an inorganic material, the first layer enveloping the integrated semiconductor circuit die, a second layer, the second layer enveloping the integrated semiconductor circuit die. Formation of such device includes steps of providing an integrated semiconductor circuit die, applying a first layer comprising an inorganic material, the first layer enveloping the integrated semiconductor circuit die, and applying a second layer, the second layer enveloping the integrated semiconductor circuit die.

Μια ερμητικώς ντυμένη συσκευή περιλαμβάνει έναν ενσωματωμένο κύβο κυκλωμάτων ημιαγωγών, ένα πρώτο στρώμα περιλαμβάνοντας ένα ανόργανο υλικό, το πρώτο στρώμα που τυλίγει τον ενσωματωμένο κύβο κυκλωμάτων ημιαγωγών, ένα δεύτερο στρώμα, το δεύτερο στρώμα που τυλίγει τον ενσωματωμένο κύβο κυκλωμάτων ημιαγωγών. Ο σχηματισμός τέτοιας συσκευής περιλαμβάνει τα βήματα της παροχής ενός ενσωματωμένου κύβου κυκλωμάτων ημιαγωγών, εφαρμογή ενός πρώτου στρώματος περιλαμβάνοντας ένα ανόργανο υλικό, το πρώτο στρώμα που τυλίγει τον ενσωματωμένο κύβο κυκλωμάτων ημιαγωγών, και που εφαρμόζει ένα δεύτερο στρώμα, το δεύτερο στρώμα που τυλίγει τον ενσωματωμένο κύβο κυκλωμάτων ημιαγωγών.