Insulating layers between transistors that are very close together may have voids. When contacts are formed in these areas between these close transistors, the contact hole is formed at the void location. These voids may extend between the contact locations that are close together so that the deposition of the conductive material into these contact holes may extend sufficiently into the void to short two such contacts. This is prevented by placing a liner in the contact hole, which constricts the void size in the contact hole, prior to depositing the conductive material. This restricts ingress of conductive material into the void. This prevents the void from being an unwanted conduction path between two contacts that are in close proximity. The bottoms of the contact holes are etched to remove the liner prior to depositing the conductive material.

Isolierschichten zwischen Transistoren, die sehr nah zusammen sind, können Lücken haben. Wenn Kontakte in diesen Bereichen zwischen diesen nahe Transistoren gebildet werden, wird die Kontaktbohrung an der leeren Position gebildet. Diese Lücken können zwischen den Kontaktpositionen verlängern, die Ende zusammen sind, damit die Absetzung des leitenden Materials in diese Kontaktbohrungen in die Lücke auf Kurzschluß zwei solche Kontakte genug verlängern kann. Dieses wird verhindert, indem man eine Zwischenlage in die Kontaktbohrung, die die leere Größe in der Kontaktbohrung einengt, vor dem Niederlegen des leitenden Materials legt. Dieses schränkt Eintritt des leitenden Materials in die Lücke ein. Dieses verhindert die Lücke am Sein ein unerwünschter Übertragung Weg zwischen zwei Kontakten, die in der nahen Nähe sind. Die Unterseiten der Kontaktbohrungen werden geätzt, um die Zwischenlage vor dem Niederlegen des leitenden Materials zu entfernen.