A metal insulator diode device and method of manufacture are described. The device includes a conductive layer and a metal-insulator layer comprising particles of a refractory metal having an intrinsic oxide coating that are suspended in a dielectric binder. The device also includes a second conductive layer disposed to be in direct contact with the insulator metal layer. The conductive layers can include a metal and a dielectric filler material. In one embodiment, the metal-insulator layer comprising particles of a refractory metal such as tantalum. The metal-insulator layer can also be comprised of particles of a dielectric such as titanium dioxide to increase solids content of the metal-insulator layer.

Eine Metallisolierung Diode Vorrichtung und eine Methode der Herstellung werden beschrieben. Die Vorrichtung schließt eine leitende Schicht und eine Metall-Isolierung Schicht ein, die Partikel von einem refraktären Metall enthält, das eine tatsächliche Oxidschicht hat, die in einer dielektrischen Mappe verschoben werden. Die Vorrichtung schließt auch eine zweite leitende Schicht ein, die abgeschaffen wird, um im direkten Kontakt mit der Isolierung Metallschicht zu sein. Die leitenden Schichten können ein Metall und ein dielektrisches Füllermaterial einschließen. In einer Verkörperung die Metall-Isolierung Schicht, die Partikel von einem refraktären Metall wie Tantal enthält. Die Metall-Isolierung Schicht kann von den Partikeln eines Nichtleiters wie Titandioxid auch enthalten werden, um Körperinhalt der Metall-Isolierung Schicht zu erhöhen.