An adaptive memory control determines optimal values for the refresh period and row and column address strobe signal frequency of an associated DRAM. A binary test pattern is written to the DRAM array, read during a subsequent read operation, and then compared to the original test pattern. If a match, the 1's complement of the test pattern is written to the array and then compared as described above with the original 1's complement pattern. If a match, the process is repeated using a more aggressive value for the desired parameter, i.e., refresh period, strobe frequency, etc. If at any point the comparison does not result in a match, a more conservative parameter value is used for the subsequent write, read, and compare sequence. This process continues until an optimal value for each desired parameter is determined.

Un control adaptante de la memoria determina los valores óptimos para el período y la fila de la restauración y frecuencia de la señal del estroboscópico de dirección de columna de una COPITA asociada. Un patrón de prueba binario se escribe al arsenal de la COPITA, se lee durante una operación leída subsecuente, y después se compara al patrón de prueba original. Si un fósforo, los 1 complementos del patrón de prueba se escribe al arsenal y después se compara según lo descrito arriba con el patrón del complemento de la original 1. Si se repite un fósforo, el proceso usando un valor más agresivo para el parámetro deseado, es decir, restaure el período, la frecuencia del estroboscópico, el etc. Si en cualquier punto la comparación no da lugar a un fósforo, un valor de parámetro más conservador se utiliza para el subsecuente escribe, leyó, y compara secuencia. Este proceso continúa hasta que un valor óptimo para cada parámetro deseado se determina.