A new method of depositing a copper layer, using disproportionation of Cu(I) ions from a solution stabilized by a polar organic solvent, for single and dual damascene interconnects in the manufacture of an integrated circuit device has been achieved. A dielectric layer, which may comprise a stack of dielectric material, is provided overlying a semiconductor substrate. The dielectric layer is patterned to form vias and trenches for planned dual damascene interconnects. A barrier layer is deposited overlying the dielectric layer to line the vias and trenches. A simple Cu(I) ion solution, stabilized by a polar organic solvent, is coated overlying said barrier layer. Water is added to the stabilized simple Cu(I) ion solution to cause disproportionation of the simple Cu(I) ion from the Cu(I) ion solution. A copper layer is deposited overlying the barrier layer. The copper layer may comprise a thin seed layer for use in subsequent electroplating or electroless plating of copper or may comprise a thick copper layer to fill the vias and trenches. The integrated circuit is completed.

Был достиган новый метод депозировать медный слой, использующ disproportionation ионов Cu(I) от разрешения стабилизированного приполюсным органическим растворителем, потому что одиночный и двойной damascene соединяет в изготовлении приспособления интегрированной цепи. Обеспечен диэлектрический слой, который может состоять из стога диэлектрического материала, overlying субстрат полупроводника. Диэлектрический слой сделан по образцу для того чтобы сформировать vias и шанцы для запланированного двойного damascene соединяют. Депозирован слой барьера overlying диэлектрический слой для того чтобы выровнять vias и шанцы. Просто разрешением иона Cu(I), стабилизированным приполюсным органическим растворителем, будет coated overlying сказанный слой барьера. Добавлены, что к стабилизированному просто разрешению иона Cu(I) причиняет вода disproportionation просто иона Cu(I) от разрешения иона Cu(I). Депозирован медный слой overlying слой барьера. Медный слой может состоять из тонкого слоя семени для пользы в затем гальванизировать или electroless плакировке меди или может состоять из толщиного медного слоя для того чтобы заполнить vias и шанцы. Интегрированная цепь завершита.